低温下介孔薄膜向真空发射缪子素

我们报告了在介孔 SiO2 薄膜中注入 {\mu}+ 后，缪子素（Mu）向真空的发射情况。对于 5 keV 的 {\mu}+ 注入能量，我们在 250 K 温度下获得了 (38\pm4)% 的真空 Mu 产额，在 100 K 下获得了 (20\pm4)% 的产额。根据 Mu 真空产额对注入能量的依赖性，我们确定了这些薄膜中的 Mu 扩散常数：D250KMu = (1.6 \pm 0.1) \times 10-4 cm2/s 和 D100KMu = (4.2\pm0.5)\times10-5 cm2/s。将扩散过程描述为从孔到孔的量子力学隧穿，我们重现了扩散常数随温度 T^3/2 变化的依赖关系。我们提取出的势垒为 (-0.3 \pm 0.1) eV，这与我们计算的 SiO2 中 Mu 的功函数 [-0.3,-0.9] eV 一致。即使在低温下也具有高 Mu 真空产额，这是迈向下一代 Mu 光谱实验的重要一步。