体半导体激光器纵模动力学中的乘性噪声
光学
2009-11-11 v1
摘要
我们从理论和实验上分析了电流噪声对体半导体激光器纵模跳变动力学的影响。结果表明，每个模式上的平均驻留时间对外加到偏置电流上的外部噪声具有不同的敏感性。特别是，噪声水平的增加会延长在低电流下占主导地位的纵模的驻留时间，这证明了该随机过程的乘性本质。一个用于半导体激光器的双模速率方程模型能够重现实验结果。在适当分离所涉及的时间尺度下，该模型可以简化为一个一维双稳态势系统，其中包含与电流噪声强度相关的乘性随机项。简化模型阐明了不同噪声源对跳变动力学的影响。
引用
@article{arxiv.physics/0603159,
title = {Multiplicative noise in the longitudinal mode dynamics of a bulk semiconductor laser},
author = {F. Pedaci and S. Lepri and S. Balle and G. Giacomelli and M. Giudici and J. R. Tredicce},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0603159},
year = {2009}
}
备注
To appear in Phys. Rev. E