作为 Si MOSFET 模型的多分量稠密电子气
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们在大 极限下以及 Coulomb 相互作用参数范围 内,求解了 分量二维稠密电子气模型。Fermi 圆上的准粒子相互作用以 趋于零。基态能量和有效质量被表示为 的幂级数。在最低 Landau 能级上整数填充为 的量子 Hall 态下,求得了电荷激活能隙和交换常数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209661,
title = {Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET},
author = {S. V. Iordanski and A. Kashuba},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209661},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 4 figures