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作为 Si MOSFET 模型的多分量稠密电子气

介观与纳米尺度物理 2009-11-07 v1

摘要

我们在大 NN 极限下以及 Coulomb 相互作用参数范围 N3/2rs1N^{-3/2}\ll r_s\ll 1 内,求解了 NN 分量二维稠密电子气模型。Fermi 圆上的准粒子相互作用以 1/N1/N 趋于零。基态能量和有效质量被表示为 rs2/3r_s^{2/3} 的幂级数。在最低 Landau 能级上整数填充为 1ν<N1\ll\nu<N 的量子 Hall 态下,求得了电荷激活能隙和交换常数。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0209661,
  title  = {Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET},
  author = {S. V. Iordanski and A. Kashuba},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209661},
  year   = {2009}
}

备注

10 pages, 4 figures