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Ba$_2$IrO$_4$ 电子结构中的多带 $d-p$ 模型与自掺杂

强关联电子 2016-02-04 v1 材料科学

摘要

我们引入并研究了描述 IrO4_4 层(如 Ba2_2IrO4_4 中所实现)的多带 dpd-p 模型,其中每个晶胞的所有 3434 个轨道均部分占据,即铱处的 t2gt_{2g}ege_g 轨道以及氧离子处的 2p2p 轨道。该模型考虑了各向异性的铱-氧 dpd-p 和氧-氧 ppp-p 跳跃过程、晶体场分裂、自旋轨道耦合,以及铱和氧离子处的在位库仑相互作用。我们表明,基于假想的理想离子构型(每个 IrO4_4 单元有 n0=5+4×6=29n_0=5+4\times 6=29 个电子)的预测不能很好地解释独立的 \textit{ab initio} 数据和 Ba2_2IrO4_4 的实验数据。相反,我们发现 dpd-p 态中的总电子密度更小,n=29x<n0n=29-x<n_0x>0x>0)。当我们固定 x=1x=1 时,dpd-p 模型的预测变得更加真实,并发现了弱绝缘反铁磁基态,其磁矩位于 IrO2_2 平面内沿 (110) 方向,与实验和 \textit{ab initio} 数据一致。我们还表明:(i) 空穴在氧轨道上去局域化,且铱离子处的电子密度增强,因此 (ii) 它们的 ege_g 轨道被多于一个电子占据,必须被包含在描述铱酸盐的多带 dpd-p 模型中。

关键词

引用

@article{arxiv.1601.03985,
  title  = {Multiband $d-p$ model and self-doping in the electronic structure of Ba$_2$IrO$_4$},
  author = {Krzysztof Rościszewski and Andrzej M. Oleś},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1601.03985},
  year   = {2016}
}

备注

12 pages, 4 figures