Ba$_2$IrO$_4$ 电子结构中的多带 $d-p$ 模型与自掺杂
强关联电子
2016-02-04 v1 材料科学
摘要
我们引入并研究了描述 IrO 层(如 BaIrO 中所实现)的多带 模型,其中每个晶胞的所有 个轨道均部分占据,即铱处的 和 轨道以及氧离子处的 轨道。该模型考虑了各向异性的铱-氧 和氧-氧 跳跃过程、晶体场分裂、自旋轨道耦合,以及铱和氧离子处的在位库仑相互作用。我们表明,基于假想的理想离子构型(每个 IrO 单元有 个电子)的预测不能很好地解释独立的 \textit{ab initio} 数据和 BaIrO 的实验数据。相反,我们发现 态中的总电子密度更小,()。当我们固定 时, 模型的预测变得更加真实,并发现了弱绝缘反铁磁基态,其磁矩位于 IrO 平面内沿 (110) 方向,与实验和 \textit{ab initio} 数据一致。我们还表明:(i) 空穴在氧轨道上去局域化,且铱离子处的电子密度增强,因此 (ii) 它们的 轨道被多于一个电子占据,必须被包含在描述铱酸盐的多带 模型中。
引用
@article{arxiv.1601.03985,
title = {Multiband $d-p$ model and self-doping in the electronic structure of Ba$_2$IrO$_4$},
author = {Krzysztof Rościszewski and Andrzej M. Oleś},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.03985},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 4 figures