基于场致载流子雪崩倍增的 Mott 忆阻器
强关联电子
2021-04-02 v1
摘要
我们提出一种 Mott 忆阻器理论，其工作原理为强电场下 Mott 绝缘体中的非线性载流子雪崩倍增。决定其电阻的忆阻器内部状态编码于 Mott 绝缘体中双占据子与空穴激发的密度。在电流-电压特性中，绝缘态与导电态被负微分电阻区隔开，导致滞回行为。在振荡电压下，获得了电压控制、非极性忆阻系统的响应，具有迟滞电流与捏缩滞回环。作为迈向神经形态应用的第一步，我们展示了含并联电容的电路中的自持尖峰振荡。由于仅基于电子激发，该忆阻器比先前依赖焦耳热或离子漂移的方案快达数个数量级。
引用
@article{arxiv.2104.00559,
title = {Mott Memristors based on Field-Induced Carrier Avalanche Multiplication},
author = {Francesco Peronaci and Sara Ameli and Shintaro Takayoshi and Alexandra Landsman and Takashi Oka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.00559},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 10 figures