高斯随机场中三维畴生长的形态转变
无序系统与神经网络
2009-10-31 v1 统计力学
摘要
我们研究了无序三维磁体中磁畴生长的形态。无序磁性材料在具有高斯分布局域场（宽度为 ）的随机场 Ising 模型中描述。生长由均匀外加磁场驱动，其值保持等于稳态运动起始的临界值 。识别出两种生长区域。对于低 ，生长的畴是致密的，具有自仿射的外部界面。对于大 ，获得自相似的渗流类形态。 处的多临界点分隔了两种生长类型。我们使用畴外部界面不同形态属性的有限尺寸标度提取了 附近的临界指数。我们猜想临界无序宽度也对应于 的最大值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0004183,
title = {Morphology transitions in three-dimensional domain growth with Gaussian random fields},
author = {Belita Koiller and Mark O. Robbins},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004183},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 10 figures, submitted to Phys. Rev. B