MORE-Stress：基于模型降阶的 2.5D/3D IC 中 TSV 阵列热应力仿真高效数值算法
计算工程、金融与科学
2024-11-20 v1
摘要
由硅通孔（TSV）引起的热机械应力在 2.5D/3D IC 的性能与可靠性分析中起着重要作用。尽管商业软件采用的有限元法（FEM）能提供准确的仿真结果，但用于大规模分析时非常耗时且内存消耗巨大。过去十年间，线性叠加法被用于 TSV 阵列的快速热应力估算，但其存在精度不足的问题。本文提出了 MORE-Stress，一种基于模型降阶的、用于 TSV 阵列高效热应力仿真的新型严格数值算法。大量实验结果表明，与商业软件 ANSYS 相比，该算法可将计算时间减少 153 至 504 倍，内存使用减少 39 至 115 倍，且误差极小（小于 1%）。该算法与线性叠加法效率相当，但误差小一个数量级且收敛速度快。
引用
@article{arxiv.2411.12690,
title = {MORE-Stress: Model Order Reduction based Efficient Numerical Algorithm for Thermal Stress Simulation of TSV Arrays in 2.5D/3D IC},
author = {Tianxiang Zhu and Qipan Wang and Yibo Lin and Runsheng Wang and Ru Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.12690},
year = {2024}
}
备注
2025 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE)