开放系综中晶体缺陷的蒙特卡洛模拟
材料科学
2026-01-16 v2
摘要
零维和二维晶体缺陷在开放统计系综（如巨正则系综）中形成，这类系综通常无法用传统模拟技术进行研究。这一长期存在的挑战通过一种新的哈密顿蒙特卡洛方法得以克服，该方法对能量偏差的渐进变换进行采样。该方法使得非理想点缺陷的自由能计算成为可能，并能直接预测有限温度下的界面结构。
引用
@article{arxiv.2506.12985,
title = {Monte Carlo Simulations of Crystal Defects in Open Ensembles},
author = {Flynn Walsh and Babak Sadigh and Joseph T. McKeown and Timofey Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.12985},
year = {2026}
}
备注
7 pages, 3 figures