用于超洁净 UTe2 单晶的熔盐通量液相输运法

本文介绍了针对非常规超导体 UTe2 的多种单晶生长技术。采用熔盐通量液相输运（MSFLT）法生长出了高质量的大尺寸单晶，表现出高剩余电阻率比（RRR = 200-800）。相比之下，Te 自通量法和化学气相输运（CVT）法产生的样品质量较低。MSFLT 法是一种结合了熔盐通量（MSF）和 CVT 法的混合方法。其显著优势在于材料在主过程中固定的相对较低温度下逐渐结晶。这对于防止 U 缺失并获得高质量、大尺寸的 UTe2 单晶可能至关重要。通过不同技术获得的多种不同单晶通过电阻率和比热测量进行了表征。超导转变温度随剩余电阻率的增加而降低，符合 Abrikosov-Gor'kov 对破坏理论。最高质量样品的 $T_c$ 达到 2.1K。最高质量样品的比热剩余 $\gamma$ 值仅为正常态 $\gamma$ 值的 3%。高质量样品的比热跃变 $\Delta C/(\gamma T_c)$ 达到约 2.7，表明其为强耦合超导体。此外，高质量单晶中沿 a 轴磁场的磁化率在冷却过程中未显示出上翘行为，这与 NMR Knight 位移和 $\mu$SR 实验的结果一致。