移动溶剂法生长单晶：综述

本文描述了移动溶剂技术，该技术已被用于生长多种类别的金属间化合物、硫族化合物、半导体和氧化物材料中一致熔融和非一致熔融材料的晶体。该方法固有的溶剂使用、较低温度下的生长以及区熔过程，有助于生长出大尺寸、高结构质量、高纯度的晶体。为了优化这一过程，对各种生长变量的精确控制至关重要；然而，由于存在大量独立的实验参数，这些参数可归入生长条件、所生长材料的特性以及实验配置、设置与设计等大类，实现精确控制可能较为困难。本综述试图阐述移动溶剂技术背后的原理及各种实验变量。文中详细给出了指导原则，以提供必要的信息，从而通过系统化的方法实现对晶体生长过程更精确的控制。本文对移动溶剂技术与其他晶体生长方法，特别是更传统的静态助熔剂法进行了比较。详细描述了光学加热的使用，并首次报道了通过光学加热成功实现移动溶剂法生长$Tl_5Te_3$、$Cd_3As_2$和$FeSc_2S_4$晶体（分别使用Te、Cd和FeS作为助熔剂）。