高品质 Sr3Ru2O7 单晶生长的系统方法
材料科学
2009-11-10 v1 强关联电子
摘要
本文描述了一种用于优化 Sr3Ru2O7 高品质单晶生长条件的简单方法，采用图像炉。该方法通过精确测量晶体生长期间的质量损失，以预测最佳初始原子比。通过此方法，我们成功生长出了残余电阻率仅为 0.25 μΩ·cm 的晶体。本文所述的方法预计对其他系统也有参考价值，尤其是当组成材料易挥发且无法使用标准 traveling-solvent floating-zone（TSFZ）方法时。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403572,
title = {Systematic approach to the growth of high-quality single-crystals of Sr3Ru2O7},
author = {R. S. Perry and Y. Maeno},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403572},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 4 figures