Li2FeSiO4 单晶的高压光浮区生长
强关联电子
2019-03-15 v1 材料科学
摘要
我们报道了通过高压氩气下的光浮区法生长毫米级 Pmnb-Li2FeSiO4 单晶，并描述了稳定生长过程所需的条件。晶体结构通过单晶 X 射线衍射确定并精修。在 100 K 时晶格常数为 a = 6.27837(3) A、b = 10.62901(6) A 和 c = 5.03099(3) A。此外，我们给出了高分辨率中子粉末衍射数据，表明轻微的 Li-Fe 位点交换似乎是该材料的本征特性。晶体质量由静态磁化率和比热中非常尖锐的异常得到确认，这些异常与在 TN = 17.0(5) K 时长程反铁磁有序的开始以及三个晶轴显著的磁各向异性相关。此外，磁化率排除了存在大量磁性杂质相的可能。
引用
@article{arxiv.1903.05884,
title = {High-pressure optical floating-zone growth of Li2FeSiO4 single crystals},
author = {Waldemar Hergett and Christoph Neef and Hubert Wadepohl and Hans-Peter Meyer and Mahmoud M. Abdel-Hafiez and Clemens Ritter and Elisa Thauer and Rüdiger Klingeler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.05884},
year = {2019}
}