浮动区生长高纯度 MgO 基底单晶
材料科学
2025-10-27 v1
摘要
通过光学浮动区技术（OFZ）生长了直径在 3.5 到 5 毫米、长度可达 40 毫米的 MgO 单晶。尽管面临高熔点（2825 摄氏度）、极高的蒸发率以及理想的 {100} cleavage 特性等困难，仍实现了高生长速率（超过 40 毫米/小时）和高热梯度下的无裂纹晶体生长。化学分析表明，OFZ 技术适用于制备纯度达 5N 的基底单晶，以促进基于等向原生薄膜的新型示范器件开发。与市售的高纯度 MgO 基底单晶相比，所实现的纯度提升了一个数量级以上。
引用
@article{arxiv.2510.20961,
title = {Floating zone growth of high-purity MgO substrate single crystals},
author = {Christo Guguschev and Michael Schulze and Andrea Dittmar and Detlef Klimm and Kaspars Dadzis and Thomas Schroeder and Knut Peters and Aakash Pushp},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.20961},
year = {2025}
}