电子束浮区法精炼的 UCoGe
超导电性
2021-06-02 v1 材料科学
摘要
U-Ge 化合物中非传统超导电性与量子临界铁磁性之间的相互作用是强关联电子系统中的一个开放问题。对于大多数非传统超导体而言，样品质量会对 UCoGe 化合物中的这两种有序态产生强烈影响。我们报道了一种使用浮区法生长 UCoGe 晶体的新方法，与传统手段（如 Czochralski 法生长）相比，该方法有望改善样品的质量与尺寸。利用超高真空电子束浮区精炼技术制备了铁磁超导体 UCoGe 的单晶。退火单晶在电阻率和热容中分别显示出体铁磁性和超导电性的明确特征，对应 2.6 K 和 0.55 K。对不同表面处理样品的扫描电子显微镜观察显示，在裂纹和空隙中聚集有偏离化学计量比的富铀相 UCoGe，这可能限制了样品质量。
引用
@article{arxiv.2103.08000,
title = {Electron-beam Floating-zone Refined UCoGe},
author = {K. E. Avers and M. D. Nguyen and J. W. Scott and A. M. Zimmerman and S. M. Thomas and P. F. S. Rosa and E. D. Bauer and J. D. Thompson and W. P. Halperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.08000},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 6 figures