锶取代汉紫 Ba$_{0.9}$Sr$_{0.1}$CuSi$_{2}$O$_{6}$ 的浮区法生长
材料科学
2019-07-02 v1
摘要
我们提出了一种通过浮区技术生长适用于非弹性中子研究的 BaSrCuSiO 单晶的方法。利用中子单晶衍射检验了晶体的整体质量与取向。最后，通过 X 射线衍射和磁化率证明了所生长晶体的高质量。
引用
@article{arxiv.1907.00722,
title = {Floating Zone Growth of Sr Substituted Han Purple: Ba$_{0.9}$Sr$_{0.1}$CuSi$_{2}$O$_{6}$},
author = {Pascal Puphal and Stephan Allenspach and Christian Rüegg and Ekaterina Pomjakushina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.00722},
year = {2019}
}