利用浮区法生长大尺寸 Bi-2212 单晶
材料科学
2008-06-02 v1 超导电性
摘要
利用浮区法研究了生长速率对 Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_x (Bi-2212) 晶体生长行为的影响。结果表明，获得沿 c 轴延伸的大尺寸单晶的必要条件是生长棒中的固 - 液界面保持稳定的平面生长前沿。当生长速率高于 0.25 mm/h 时，平面固 - 液生长界面倾向于破裂为胞状界面。在最佳生长条件下，从直径为 7.2 mm 的生长棒中切出了沿 a、b 和 c 轴尺寸达 50x7.2x7 mm³ 的单晶。通过磁性测量系统 (MPMS) 测得生长态晶体的 Tconset 为 91 K。光学偏光显微镜和中子衍射结果表明，单晶质量良好。
引用
@article{arxiv.0805.4633,
title = {Large Bi-2212 single crystal growth by the floating-zone technique},
author = {J. S. Wen and Z. J. Xu and G. Y. Xu and M. Hücker and J. M. Tranquada and G. D. Gu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.4633},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 4 figures