通过二氧化钛纳米片固态相变制备的分子级薄锐钛矿场效应晶体管
材料科学
2017-08-31 v1
摘要
我们展示了通过Ti0.87O2纳米片固态相变产生的分子级薄锐钛矿相的场效应晶体管(FET)操作。厚度为0.7 nm的单层Ti0.87O2纳米片是二维氧化物绝缘体，其中掺入了钛空位而非氧空位。由于制备方法通常极大影响薄膜质量，源自Ti0.87O2纳米片的锐钛矿薄膜显示出有趣的特性，例如在~2 eV处无与氧空位相关的光电流峰，以及更大的3.8 eV带隙。10 nm厚的锐钛矿FET在室温下展现出优越的输运特性，最大迁移率约1.3 cm2V-1s-1，电流开关比约105。分子级薄锐钛矿FET可能提供新功能，例如催化性质的场效应控制。
引用
@article{arxiv.1705.01701,
title = {Molecularly-thin anatase field-effect transistors fabricated through the solid state transformation of titania nanosheets},
author = {S. Sekizaki and M. Osada and K. Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.01701},
year = {2017}
}