利用回音壁模式方法在50 K下观测到体砷化镓和磷化镓样品中的修正介电常数

J. G. Hartnett; D. Mouneyrac; J-M. Le Floch; J. Krupka; Michael E. Tobar; D. Cros

doi:10.1063/1.2969905

利用回音壁模式方法在50 K下观测到体砷化镓和磷化镓样品中的修正介电常数

光学 2015-05-13 v1 材料科学原子物理

作者: J. G. Hartnett , D. Mouneyrac , J-M. Le Floch , J. Krupka , Michael E. Tobar , D. Cros

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摘要

在50 K的黑暗和白光条件下，对体圆柱形砷化镓和磷化镓样品中的回音壁模式进行了研究。在两种样品中，我们都观察到了光照和黑暗条件下介电常数的变化。这是由于半导体极化状态的改变所致，这与自由电子-空穴的产生/复合过程一致。半导体的介电常数被样品表面层中的自由光生载流子所修正，而该表面层正是回音壁模式所采样的区域。

关键词

回音壁模式砷化镓磷化镓介电常数光生载流子低温半导体

引用

@article{arxiv.0906.1855,
  title  = {Modified permittivity observed in bulk Gallium Arsenide and Gallium Phosphide samples at 50 K using the Whispering Gallery mode method},
  author = {J. G. Hartnett and D. Mouneyrac and J-M. Le Floch and J. Krupka and Michael E. Tobar and D. Cros},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0906.1855},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 3 figures

利用回音壁模式方法在50 K下观测到体砷化镓和磷化镓样品中的修正介电常数

摘要

关键词

引用

备注

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