GaN/InGaN微盘腔回音壁模式的受控调谐
材料科学
2015-05-30 v1 量子物理
摘要
本文展示了GaN/InGaN微盘腔回音壁模式的受控调谐。该回音壁模式（WGM）调谐是通过将微盘浸入水中并用紫外（UV）激光照射，在室温下实现的。调谐速率可以通过改变激光激发功率来控制，在低激发功率（约几微瓦）下可实现纳米级精度。我们提出了选择性氧化机制来解释这些结果，并得到了理论分析的支持。GaN/InGaN微盘腔中WGM的调谐可能对腔量子电动力学和高效发光器件的发展具有重要意义。
关键词
引用
@article{arxiv.1108.4743,
title = {Controlled tuning of whispering gallery modes of GaN/InGaN microdisk cavities},
author = {Igor Aharonovich and Nan Niu and Fabian Rol and Kasey J Russell and Alexander Woolf and Haitham A. R. El-Ella and Menno J. Kappers and Rachel A Oliver and Evelyn L. Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4743},
year = {2015}
}