V3Si单晶的微波响应：两能隙超导性的证据
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
通过研究不同配比V3Si单晶微波表面阻抗和复导电率的温度依赖性，观察到若干奇特现象，这些现象与单能隙巴登-库珀-施莱夫理论显著矛盾。与此同时，这些现象可由两带超导性模型良好描述，强有力地证明了V3Si中存在两个具有零温值Delta1~1.8Tc和Delta2~0.95Tc的不同能隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509244,
title = {Microwave Response of V3Si Single Crystals: Evidence for Two-Gap Superconductivity},
author = {Yu. A. Nefyodov and A. M. Shuvaev and M. R. Trunin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509244},
year = {2007}
}
备注
Submitted to Europhysics Letters