扫描隧道显微镜揭示的V3Si (111)表面结构与多能隙超导性
超导电性
2023-04-24 v1 材料科学
摘要
V3Si是一种具有较高TC（~16 K）的经典硅化物超导体，在构建硅基超导器件和异质结构中颇具前景。然而，对其表面和超导性质的实空间表征仍然有限。本文报道了关于洁净V3Si (111)单晶表面的首次低温扫描隧道显微镜（STM）研究。我们观察到一种r3×r3超结构，其在相邻台面间呈现镜像对称，表明表面为V终止并发生了重构。隧穿谱显示出具有双对相干峰的完整超导能隙，但相较于体TC其能隙尺寸较小。表面缺陷上未出现杂质诱导的隙内态，但在引入的磁性吸附原子上出现。施加磁场后，观察到六角涡旋晶格。有趣的是，发现涡旋尺寸具有场依赖性，且低场下由单个涡旋测量的相干长度显著大于由体H_c2估算的值。这些结果表明V3Si是一种多带、s波超导体。
引用
@article{arxiv.2304.10766,
title = {Surface structure and multigap superconductivity of V3Si (111) revealed by scanning tunneling microscopy},
author = {Shuyue Ding and Dongming Zhao and Tianxing Jiang and Haitao Wang and Donglai Feng and Tong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.10766},
year = {2023}
}