检验 V3Si 的双带超导电性

V3Si 是双带还是单带超导体？任何在文献中探寻此问题的人都会找到相互矛盾的答案，因为 V3Si 既曾被宣称为双带超导的完美范例，也曾被宣称为单带超导的完美范例。本文旨在通过展示从 V3Si 单晶磁性质中获得的新实验事实来澄清这一状况。我们通过分析不同温度下的可逆磁化强度来探测场依赖的双带效应，并通过分析在不同磁场下由两种不同方法获得的超流密度来探测温度依赖的双带效应。我们所有的结果都能在单带模型中得到可靠描述，因此支持 V3Si 的单带图像，但并未完全排除存在一个非常小的第二能隙的可能性。