beta-Bi2Pd中的单能隙超导电性
超导电性
2016-04-07 v1
摘要
beta-Bi2Pd 化合物已被提出作为多能隙超导体的另一个例子[Y. Imai 等, J. Phys. Soc. Jap. 81, 113708 (2012)]。在此，我们报告了对几个重要物理量的测量，这些量能够显示我们临界温度 Tc 接近 5 K 的 beta-Bi2Pd 超导单晶上是否存在多重能隙。通过灵敏交流技术进行的量热研究在超导转变处显示出尖锐异常，但仅检测到单一能隙。从量热测量推断的其他特征，如 Sommerfeld 系数的场依赖以及上临界磁场的温度和角度依赖，也明确指向标准单 s 波能隙超导电性。霍尔探针磁强计从下临界场温度依赖的分析给出了相同结果。扫描隧道谱测量检测到单能隙 BCS 态密度。进而，体敏感以及表面敏感探针均证实该系统中存在标准传统超导电性，其中拓扑保护表面态最近已由 ARPES 检测到[M. Sakano 等, Nature Comm. 6, 8595 (2015)]。
引用
@article{arxiv.1603.02540,
title = {Single gap superconductivity in beta-Bi2Pd},
author = {J. Kačmarčík and Z. Pribulová and T. Samuely and P. Szabó and V. Cambel and J. Šoltýs and E. Herrera and H. Suderow and A. Correa-Orellana and D. Prabhakaran and P. Samuely},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02540},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 4 figures, 1 table