基于 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 薄膜的直流偏置共面波导中的微波淬灭

在本文中，我们报道了在基于高温超导体(HTS)的共面波导(CPW)中，于输入功率 $P_{in}$ 和直流电流(DC) $I_{dc}$ 的某些取值下所发现的微波损耗（淬灭）剧烈变化这一效应中的特征结果。研究了两个波导：CPW-150 和 CPW-75，它们由外延生长的 150 nm 和 75 nm YBCO 薄膜制备。当施加固定电平的 X 波段脉冲微波信号输入 $P_{in}$ 时，测量了 CPW 的插入损耗 $IL = 10 lg (P_{out} / P_{in})$ 随工作温度和偏置直流电流 $I_{dc}$ 的变化关系。这里 $P_{out}$ 是在 CPW 输出端测得的功率。脉冲宽度 ${\tau}_i$ 为 5 ${\mu}s$，脉冲重复周期 T = 40 ${\mu}s$。实验显示，对应于 CPW-150 和 CPW-75 中与 $P_{in}$ 相关的淬灭现象的 $I^*= I_{dc}$ 的特定值存在明显差异。对于弱输入信号，预期 CPW 的行为存在差异，即较薄薄膜在较低电流下发生淬灭。对于 $P_{in}>1W$ 情况相反，即 CPW-150 在较低的 $I^*$ 下发生淬灭。这由 CPW-150 更强的微波加热所解释。