反霍尔条中整数量子霍尔效应的微观细节
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1 材料科学
摘要
由于缺乏能考虑复杂量子霍尔样品实际几何结构的模拟工具，许多实验尚未被完全理解。几年前，R. G. Mani通过使用部分门控，记录了嵌入反霍尔条的霍尔条样品中霍尔电阻跃迁向较低磁场移动的现象。我们使用非平衡网络模型（NNM）来模拟这种几何结构，并发现了定性上的一致。将模拟的电阻曲线与实验结果拟合，我们不仅能确定载流子浓度，还能获得屏蔽门控势的估计，特别是由电荷不均匀性引起的势涨落的幅度和长度尺度，而这些通过实验是不易获得的。
引用
@article{arxiv.1112.5673,
title = {Microscopic Details of the Integer Quantum Hall Effect in an Anti-Hall Bar},
author = {Christoph Uiberacker and Christian Stecher and Josef Oswald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5673},
year = {2015}
}