通过计算机模拟对二氧化硅和硅酸锂中低温异常的微观描述
无序系统与神经网络
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
通过计算机模拟揭示了二氧化硅和硅酸锂玻璃中低温异常的性质，特别是隧穿系统的性质。系统地探索了这些系统的势能景观中可能作为低温双阱势（DWP）的相邻局域极小值对。区分了三种不同类型的DWP，分别与完美配位的二氧化硅、本征二氧化硅缺陷和外在缺陷相关。详细表征了它们的性质，如空间延伸和偶极矩。此外，估计了隧穿系统（即对称DWP）的绝对数量。结果与Suprasil I和Suprasil W上的介电回波、比热和声学实验进行了比较。所有相关特征均获得了半定量的一致性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609693,
title = {Microscopic description of the low-temperature anomalies in silica and lithium silicate via computer simulations},
author = {J. Reinisch and A. Heuer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609693},
year = {2007}
}