超冷玻璃中磁场效应的多势阱隧穿模型

在过去十年中，报道了多硅酸盐玻璃在低温 $T$ 下对静磁场 $B$ 的热响应和介电响应的令人困惑的观测结果，这要求对标准的双能级系统隧穿模型进行扩展。本文提出了一种解释，能够同时捕捉这些玻璃中比热 $C_p$ 和介电常数 $\epsilon$ 的 $T$ 依赖性和 $B$ 依赖性。该理论指出玻璃中存在反常的多势阱隧穿系统——与标准的双能级系统并存——并为应实现更大电磁电容增强的玻璃给出了指示。