原位扫描势阱成像研究活体超导量子电路中单个两能级材料缺陷
材料科学
2025-06-25 v1 介观与纳米尺度物理
超导电性
量子物理
摘要
结构非晶材料的低温物理由两能级系统缺陷(TLS)主导，其具体起源与性质尽管研究数十年仍不为人知。近期发展旨在实现稳定高相干平台以用于量子计算，增加了研究固态量子电路中TLS的重要性，因为它们是持久性退相干和不稳定性的来源。本文在毫开尔文温度下对活体超导量子电路进行扫描势阱显微成像，以定位单个TLS。该方法直接揭示了TLS的微观本质，也能够推断单个TLS电偶极矩的三维定向。当这些见证与底层材料的结构信息相结合时，可有助于阐明TLS的详细微观本质和化学起源，指导其最终减缓的策略。
引用
@article{arxiv.2408.16660,
title = {In-situ scanning gate imaging of individual two-level material defects in live superconducting quantum circuits},
author = {M. Hegedüs and R. Banerjee and A. Hutcheson and T. Barker and S. Mahashabde and A. V. Danilov and S. E. Kubatkin and V. Antonov and S. E. de Graaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.16660},
year = {2025}
}