测量扭转双层石墨烯的局域 moiré 晶格非均匀性
介观与纳米尺度物理
2021-02-25 v2 强关联电子
摘要
我们引入一种连续映射 moiré 晶格非均匀性的新方法,并将其应用于在开路器件扭转双层石墨烯(TBG)上测得的大面积形貌图像。我们表明,TBG 器件中扭转角的变化——常被推测为具有假定相似扭转角的不同器件间差异的原因——在数百纳米区域内围绕 2.02{\deg} 平均值约为 0.08{\deg},这与封装在 hBN slab 间的器件相当。我们区分了有效扭转角与局域各向异性,并将后者与异质应变相关联。我们的结果意味着,对于我们的器件,扭转角非均匀性对电子结构的影响与局域应变大致相当。此处引入的方法适用于不同成像技术的结果,以及不同的 moiré 材料。
引用
@article{arxiv.2008.13766,
title = {Measuring local moir\'e lattice heterogeneity of twisted bilayer graphene},
author = {Tjerk Benschop and Tobias A. de Jong and Petr Stepanov and Xiaobo Lu and Vincent Stalman and Sense Jan van der Molen and Dmitri K. Efetov and Milan P. Allan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.13766},
year = {2021}
}
备注
4 figures in main text. Supporting info included