扭曲莫尔材料中原子弛豫的解析模型
强关联电子
2025-01-07 v3
摘要
由于原子级厚度，由二维材料构建的异质结构的电子性质受到原子弛豫的强烈影响。原子层表现为柔性膜而非刚性晶体。在此，我们发展了扭曲莫尔材料中晶格弛豫的解析理论。我们获得了晶格位移及相应伪规范场随扭曲角度变化的解析结果。我们利用大规模分子动力学模拟，对扭曲双层石墨烯和扭曲 WSe 双层的结果进行了基准测试。我们的\textit{单参数}理论适用于扭曲角 的石墨烯双层，以及 的扭曲 WSe。我们还研究了弛豫如何改变扭曲双层石墨烯的电子结构，并提供了对连续统模型的简单扩展以考虑晶格弛豫。
引用
@article{arxiv.2401.00498,
title = {Analytical Model for Atomic Relaxation in Twisted Moir\'e Materials},
author = {Mohammed M. Al Ezzi and Gayani N. Pallewela and Christophe De Beule and E. J. Mele and Shaffique Adam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.00498},
year = {2025}
}