制备微米与纳米尺度结构中的大悬垂

我们描述了两种用于制备具有大悬垂和高深宽比支撑柱的微结构的通用方法。第一种方法对微柱或纳米柱进行静态倾斜干法刻蚀以产生初始悬垂，随后进行湿法刻蚀以进一步侵蚀。第二种方法在覆有保护树脂的平面上使用随时间变化的倾斜刻蚀，以减少制备这些物体所需的光刻步骤数。随时间变化的干法刻蚀同样随后进行湿法刻蚀。对于第二种方法，我们推导了一个公式，在已知目标材料内刻蚀速率、所需悬垂（底切）深度以及瞬时入射角的情况下，给出入射角必须演变的速率。