基于单壁碳纳米管的磁阻器件
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们展示了基于阿哈龙-波姆效应构建纳米尺寸磁阻器件的物理原理。该器件由置于基片上的一段短单壁碳纳米管 (SWCNT) 及其与尖端的耦合构成。我们考虑电子在纳米管周向运动（而非沿轴向运动）所导致的电导。我们发现，沿周向的电导对穿过单壁碳纳米管的磁场敏感，由于阿哈龙-波姆效应。当尖端与 SWCNT 的耦合减弱时，敏感性显著提升，这是由于形成狭窄共振通道，使得隧穿电流通过。利用偏压电压可将共振位移至较小磁场，从而实现对约 1 台特斯拉尺度磁场的电导控制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406448,
title = {Magnetoresistance Devices Based on Single Walled Carbon Nanotubes},
author = {Oded Hod and Eran Rabani and Roi Baer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406448},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures