缺陷金属性单壁碳纳米管中的 Aharonov-Bohm 微分电导调制

采用微扰方法，研究了由 Aharonov-Bohm (AB) 磁通诱导的能隙对缺陷金属性单壁碳纳米管 (MSWCNTs) 输运性质的影响。被一对杂质来回散射的电子波产生了 Fabry-Perot 振荡，构成了相干背散射干涉图样 (CBSIP)。研究表明，施加平行于纳米管轴线的磁场会对 CBSIP 产生非周期性调制。事实上，AB 磁通通过额外的相移实现了对 CBSIP 的控制。因此，CBSIP 的极值点和零点位于量 $\Phi_\rho={\Phi}/{\Phi_0}$ 的无理分数处，其中 $\Phi$ 是穿过纳米管横截面的磁通，$\Phi_{0}=h/e$ 是磁通量子。的确，磁微分电导 (MDC) 剖面中两个相邻极值点之间的间距随磁场的增加而减小。金属性锯齿型 (zigzag) 和扶手椅型 (armchair) 纳米管分别呈现出更快更高和更慢更短的变化。这些结果表明，基于 AB 效应，缺陷金属性纳米管可用作磁电导开关器件。