过渡金属二硫族化物的低能九层菱方堆叠
材料科学
2024-04-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
过渡金属二硫族化物(TMDs)展现出独特的物理、光学和电子性质。已知的TMDs相包括体相中的2H和3R、1T及其相关重构,以及单层形式的1H。本文报道了一种假设相——9R,它可能存在于(Mo, W)(S, Se, Te) TMDs中,同时满足动力学稳定性和弹性稳定性判据。9R相与3R具有相同的空间群,即无反转对称性的菱方,且在常规晶胞中有9层。我们发现9R每化学式单元的能量在3R的1 meV以内,并且在特定应变条件下可能在能量上更有利。我们进一步计算了9R TMDs的电子、弹性、压电、拉曼和二次谐波产生特征,并将其与相应的2H和3R相进行了比较。9R具有与3R相似的性质,但在低频区域显示出独特的拉曼峰、改善的压电性质以及由导带底处的层耦合引起的独特能带分裂。这些独特的性质使9R成为压电电子学和谷电子学应用中具有吸引力的候选材料。
引用
@article{arxiv.2404.17575,
title = {Low-energy nine-layer rhombohedral stacking of transition metal dichalcogenides},
author = {Rijan Karkee and David A. Strubbe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.17575},
year = {2024}
}
备注
28 pages, 12 figures, 7 tables