纯 CsI 晶体的纵向均匀性、时间性能与辐照测试
仪器与探测器
2016-06-24 v1 高能物理 - 实验
摘要
为了研究 BaF2 的替代方案，作为 Mu2e 量能器的晶体选择，我们对来自 Opto Materials 和 ISMA 生产商的十三块纯 CsI 晶体进行了表征，测定了它们在使用紫外扩展 PMT 读取时的光产额（LY）和纵向响应均匀性（LRU）。当用 Tyvek 包裹并在无（有）光学耦合剂的情况下与 PMT 耦合时，这些晶体显示出约 100 p.e./MeV（约 150 p.e./MeV）的 LY。LRU 可由一个平均约为 -0.6 %/cm 的线性斜率很好地表示。使用紫外扩展 MPPC 读取的 Opto Materials 晶体的时间性能已用最小电离粒子进行了评估。在有（无）光学耦合剂的情况下将光电传感器连接到 MPPC 时，实现了约 330 ps（约 440 ps）的时间分辨率。还研究了一块来自 SICCAS 的纯 CsI 晶体对电离剂量的抗辐照能力。在将其暴露于 900 Gy 的剂量后，观察到 LY 下降了 33%，而 LRU 保持不变。
引用
@article{arxiv.1606.07110,
title = {Longitudinal uniformity, time performance and irradiation test of pure CsI crystals},
author = {M. Angelucci and O. Atanova and S. Baccaro and A. Cemmi and M. Cordelli and R. Donghia and S. Giovannella and F. Happacher and S. Miscetti and I. Sarra and S. R. Soleti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.07110},
year = {2016}
}
备注
Presented at Frontier Detectors for Frontier Physics,13th Pisa Meeting on Advanced Detectors, 24-30 May 2015 (2 pages, 4 figures)