伦敦穿透深度与配对破坏
超导电性
2014-02-12 v1
摘要
对于各向同性材料，我们评估了任意输运和配对破坏Born散射率下的伦敦穿透深度。除了已知结果外，还发现了一些新特征。归一化超流密度ρ=λ^2(0)/λ^2(θ)在转变点θ=T/T_c=1处的斜率|dρ/dθ|在配对破坏参数值附近有最小值，该参数分隔有能隙和无能隙状态。对于s波材料，ρ的低T指数平坦部分因配对破坏增强而被抑制。对于磁性杂质引起的强T_c抑制，"Homes标度律"λ^{-2}(0) ∝ σ T_c（σ为正常态电导率）被λ^{-2}(0) ∝ σ T_c^2取代。对于d波序参量，输运和自旋翻转Born散射率仅以和的形式进入理论，特别是它们以相同方式影响T_c的降低。我们证实，在宽范围的组合散射参数下，ρ的线性低温行为仅在临界温度相对于干净极限T_{c0}至少被抑制3倍时才转变为T^2行为。此外，在此范围内，ρ(θ)对散射参数只有弱依赖，即几乎是普适的。
引用
@article{arxiv.1310.6970,
title = {London Penetration Depth and Pair Breaking},
author = {V. G. Kogan and R. Prozorov and V. Mishra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6970},
year = {2014}
}