再结晶边界上的局部迁移率变化

理解再结晶边界迁移机制对于材料设计至关重要。然而，由于缺乏针对典型多晶体样品中高角度晶界的综合迁移率数据，人们尚未能洞察支配边界迁移的因素。本文提出一种迭代迁移率匹配（IMM）方法，用于确定部分再结晶样品中再结晶边界上的局部迁移率及其空间变化。该方法通过匹配时序再结晶实验中仿真微结构与 mobility 输入来优化相场模型中的 mobility。我们首先使用合成数据验证该方法，再应用于真实实验数据。首次揭示，单个再结晶边界上的局部迁移率存在三个数量级的差异。结果表明，局部迁移率对边界误差角（misorientation）敏感，其变化显著影响边界动力学，从而阐明了影响观察边界迁移行为的相互作用因素。IMM 方法为解释实验再结晶行为提供了新框架，可广泛应用于其他材料的原位实验。