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通过刻蚀硅纳米锥作为抗反射层提升光电二极管性能的无光刻低成本方法

仪器与探测器 2016-04-25 v1 光学

作者: Jing Jiang , Zhida Xu , Jiahao Lin , Gang Logan Liu

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摘要

已证明一种三步工艺可通过在光电二极管表面创建纳米锥森林作为抗反射层来改善光电二极管性能。这种高通量、低成本的工艺已显示出将反射率降低 66.1%，量子效率提升 27%，响应度提高 25.7%。这种低成本的制造工艺可应用于提高硅基光子器件的响应度。

关键词

光电二极管硅纳米锥抗反射层无光刻低成本制造量子效率响应度

引用

@article{arxiv.1604.06451,
  title  = {Lithography-Free, Low-Cost Method for Improving Photodiode Performance by Etching Silicon Nanocones as Antireflection Layer},
  author = {Jing Jiang and Zhida Xu and Jiahao Lin and Gang Logan Liu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1604.06451},
  year   = {2016}
}