垂直 CNT-Si 光电二极管阵列
光学
2024-06-24 v1 仪器与探测器
摘要
演示了一个由薄膜硅 p-i-n 纳米柱构成的光电二极管，其上覆盖有垂直排列的碳纳米管 (CNT) 数组和非连续的阴极电极。该结构利用 CNTs 电场的固有增强效应，导致光电二极管的工作电压和响应时间降低，同时由于更好的光捕获，光学耦合效率提高。与传统平面光电二极管相比，这些改进措施为广泛应用（包括 CT 和粒子探测）提供了更高的分辨率和更高的帧率平板成像系统。
引用
@article{arxiv.2406.14818,
title = {Vertical CNT-Si Photodiode Array},
author = {Arman Ahnood and Hang Zhou and Qing Dai and Yuri Vygranenko and Yuji Suzuki and MR Esmaeili-Rad and Gehan Amaratunga and Arokia Nathan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.14818},
year = {2024}
}