用于高能物理中的半导体材料的 Lindhard 因子与初始缺陷浓度
高能物理 - 唯象学
2007-05-23 v1
摘要
本报告是对作者计算的 Lindhard 因子以及在不同材料中单位粒子 fluence 下的初始辐射缺陷浓度的汇编，专用于 HEP 应用。
关键词
引用
@article{arxiv.hep-ph/0301080,
title = {Lindhard Factors and Concentrations of Primary Defects in Semiconductor Materials for uses in HEP},
author = {I. Lazanu and S. Lazanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0301080},
year = {2007}
}
备注
8 pages