晶格畸变调控高熵合金电阻率常数效应
材料科学
2025-03-26 v2 计算物理
摘要
具有超低温系数电阻率的材料被用于高精度电子测量系统中的温度和流量传感器。本文采用Kubo-Greenwood 公式，在原子分子动力学模拟中实现，用于预测多组分合金在严重晶格畸变下的有限温度电阻率。我们观察到在高熵合金中，电阻率随温度范围内几乎不变。B2 NiCo(HfTiZr) Elinvar 合金中的电阻率常数效应源于固有电阻率与残余电阻率之间的平衡。这一效应与晶格热振动引起的原子位于理想晶格位点的位移以及化学无序引起的晶格畸变相关。通过温度降低晶格畸变以及电子态密度的变化进一步证实了这一点。
引用
@article{arxiv.2502.14542,
title = {Lattice distortion tuning resistivity invar effect in high entropy alloys},
author = {Hao Chen and Yuanji Xu and Lihua Liu and Yue Chen and Jan Wróbel and Daoyong Cong and Fuyang Tian and Yang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.14542},
year = {2025}
}