二维 Kondo 晶格系统中的电阻率

我将 \cite{konav} 中有关 Kondo 晶格材料电阻率的计算从 $3d$ 系统推广到 $2d$ 系统。在当前工作中，我考虑一个二维系统，并计算了记忆函数。然而，二维情形中发现的结果不同于三维系统。我发现，在 $2d$ 低温区（$k_{B}T\ll \mu_d$）电阻率呈现幂律（$\frac{1}{T}$）行为，而在高温区（$k_{B}T\gg\mu_d$）电阻率随温度线性变化。在 $3d$ 中这些行为分别为 $\frac{1}{T}$ 与 $T^{\frac{3}{2}}$。