Kondo 晶格材料电阻率理论：记忆函数方法

我们利用强有力的记忆函数方法对 Kondo 晶格模型中的直流电阻率（$\rho$）进行理论分析。利用记忆函数的 W\"{o}lfle-G\"{o}tze 展开研究了 $\rho$ 的完整温度演化。该模型中的电阻率源于传导 $s$ 电子在准局域化 $d$ 或 $f$ 电子自旋上的自旋翻转磁散射。我们在低温区间（$k_B T<<\mu_d$，其中 $\mu_d$ 为 $d$ 电子的有效化学势）发现了著名的电阻率上翘。在高温区间 $(\mu_d<<k_B T)$ 我们发现 $\rho \propto T^{\frac{3}{2}}$。所给出的理论与实验数据进行了定量比较，并发现合理的好吻合。