单电荷 InP 量子点中毫秒级电子自旋存储
材料科学
2013-12-25 v1
摘要
我们在约 5 K 的温度下报告了在 0.1 T 小磁场(沿光学激发轴)下，单电荷 InP 量子点(QDs)中电子自旋的毫秒级存储。采用泵浆-探测光致发光(PL)技术，对电子自旋进行光学定向，并通过测量泵浆-探测时延的 PL 圆极化程度来研究自旋松弛。磁场和温度对自旋衰减率的依赖性表明，在该 QDs 中低温下两个声子过程是主要的自旋松弛机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511047,
title = {Lattice thermal conductivity of disordered binary alloys : a formulation},
author = {Aftab Alam and Abhijit Mookerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511047},
year = {2013}
}
备注
16 pages, 17 figures