一维碲化物Ta4SiTe4在低温下的巨大热电功率因子
材料科学
2020-06-12 v1
摘要
我们报道在一维碲化物Ta4SiTe4的晶须晶体中发现超过 -400 microV K-1 的极大热电势，同时保持 rho = 2 mohm cm 的低电阻率，从而在最优温度130 K下产生 P = 80 microW cm-1 K-2 的极大功率因子。该温度通过化学掺杂可从50 K的低温广泛调控至室温，导致在220-280 K下的最大 P 为170 microW cm-1 K-2。这些 P 值远超室温附近的Bi2Te3-Sb2Te3合金，为实现低温实用级热电冷却提供了一条途径。一维电子结构与狄拉克半金属附近出现的极小带隙共存，可能是Ta4SiTe4中极大功率因子的起因，表明“一维狄拉克半金属”是寻找低温应用高性能热电材料的有前景途径。
引用
@article{arxiv.1705.00404,
title = {Large Thermoelectric Power Factor at Low Temperatures in One-Dimensional Telluride Ta4SiTe4},
author = {Takumi Inohara and Yoshihiko Okamoto and Youichi Yamakawa and Ai Yamakage and Koshi Takenaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.00404},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 3 figures