掺杂聚噻吩结的大热电效率：一项密度泛函研究
介观与纳米尺度物理
2018-04-04 v1
摘要
基于密度泛函理论结合非平衡格林函数形式，研究了与 Au (111) 电极耦合的聚噻吩（PT）的热电性质。具体地，针对两种 PT 长度，考察了 Li 和 Cl 吸附剂在不同掺杂浓度下对 PT 结热电效率的影响。结果表明，掺杂物的存在可带来低聚物的结构变化并改变分子能级排布，从而导致结的透射谱发生剧烈变化。因此，掺杂物带来了热电势及随之优值的巨大增强，使得掺杂 PT 结成为一种有益的热电器件。
引用
@article{arxiv.1801.03281,
title = {Large thermoelectric efficiency of doped polythiophene junction: a density functional study},
author = {Zahra Golsanamlou and Meysam Bagheri Tagani and Hamid Rahimpour Soleimani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.03281},
year = {2018}
}
备注
26 pages, 7 figures