面向射频应用的金属-绝缘体-石墨烯二极管大信号模型
应用物理
2020-09-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们首次提出了一种与电路设计兼容的金属-绝缘体-石墨烯（MIG）二极管大信号紧凑模型，用于描述其动态响应。该模型本质上由一个依赖于电压的二极管本征电容与一个静态压控电流源耦合而成，后者用于描述石墨烯的纵向电子输运（注入/抽出），该输运通过绝缘体势垒的 Dirac-热电子输运理论进行建模。重要的是，我们发现镜像力效应在决定势垒高度方面起关键作用，因此将其相应地纳入模型中。所得模型已用 Verilog A 实现，以用于现有电路仿真器，并基于作为功率探测器工作的实验性 6 nm TiO2 势垒 MIG 二极管进行了基准测试。
引用
@article{arxiv.1904.05792,
title = {Large-signal model of the Metal-Insulator-Graphene diode targeting RF applications},
author = {Francisco Pasadas and Mohamed Saeed and Ahmed Hamed and Zhenxing Wang and Renato Negra and Daniel Neumaier and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.05792},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 5 figures, 1 table