面向柔性薄膜晶体管的大面积光子剥离工艺
应用物理
2022-03-03 v1 材料科学
摘要
在塑料衬底上制造高性能和/或高密度柔性电子器件通常受限于聚合物衬底较差的尺寸稳定性。这可以通过在制造过程中使用玻璃载板来缓解，但在不损坏电子器件的情况下将塑料衬底从大面积载板上剥离仍然具有挑战性。在此，我们提出了一种大面积光子剥离（PLO）工艺，以快速将聚合物薄膜从刚性载板上分离。PLO利用来自闪光灯的150微秒宽带光脉冲，将功能薄膜从涂有光吸收层（LAL）的玻璃载板衬底上剥离。三维有限元模型表明，在PLO过程中聚合物/LAL界面温度达到865摄氏度，但PI的顶面温度仅达到118摄氏度。为了证明该工艺在柔性电子器件生产中的可行性，在聚酰亚胺衬底上制备了氧化铟锌（IZO）薄膜晶体管（TFT）阵列，随后通过光子剥离从玻璃载板上分离。PLO前后TFT的迁移率均为3.15 cm2V-1s-1，表明PLO过程中没有发生显著变化。柔性TFT具有机械稳健性，在弯曲时迁移率没有降低。PLO工艺可以为大面积柔性电子器件的生产提供无与伦比的高通量解决方案。
引用
@article{arxiv.2108.10920,
title = {Large-Area Photonic Lift-off Process for Flexible Thin-Film Transistors},
author = {Adam M. Weidling and Vikram S. Turkani and Vahid Akhavan and Kurt A. Schroder and Sarah L. Swisher},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10920},
year = {2022}
}