半导体纳米结构中的朗德g张量
材料科学
2007-08-07 v3
摘要
对半导体纳米结构电子结构的理解，离不开对其相应自旋相关性质的详细描述。在此，我们探索了InAs自组装量子点的壳层结构对多个方向磁场的响应，从而能够绘制s和p壳层的g张量模量图。我们发现s和p壳层的g张量表现出非常不同的行为。s态更加局域化，通过将磁场方向从生长方向扫描到面内方向，可以探测约束势的细节。至于p态，我们发现其g张量模量更接近周围GaAs的值，这与更大的离域化一致。这些结果揭示了自组装量子点约束势中尚未被探测到的更多细节，此外还评估了g张量，这对于自旋相关应用的实现具有根本重要性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604578,
title = {Lande g-tensor in semiconductor nanostructures},
author = {T. P. Mayer Alegre and F. G. G. Hernández and A. L. C. Pereira and G. Medeiros-Ribeiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604578},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures