非对称短程缺陷的 KP 方法：共振态与合金能带结构
材料科学
2015-06-24 v2
摘要
在包络函数方程中考虑势能的矩阵结构，在 KP 方法框架下研究了具有降低对称性的短程缺陷。考虑了具有沿 [001]、[110] 或 [111] 方向非对称缺陷的窄带隙半导体情况。在 Koster-Slater 近似下分析了单个缺陷处的共振态。讨论了由非对称杂质形成的合金的能带结构修正，并引入了广义虚晶近似。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207661,
title = {KP-approach for non-symmetric short-range defects: resonant states and alloy bandstructure},
author = {F. T. Vasko},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207661},
year = {2015}
}
备注
Extended version, 9 pages, 6 figures (EPS)